GB/T 4937.19-2018 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第19部分：芯片剪切強(qiáng)度
GB/T 36356-2018 功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
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GB/T 35010.7-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第7部分：數(shù)據(jù)交換的XML格式
GB/T 35010.3-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第3部分：操作、包裝和貯存指南
GB/T 35010.2-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第2部分：數(shù)據(jù)交換格式
GB/T 35010.5-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第5部分：電學(xué)仿真要求
DB35/T 1193-2011 半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片
SJ/T 11399-2009 半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測(cè)試方法

芯片質(zhì)量的好壞直接影響著電子產(chǎn)品的性能。如果芯片質(zhì)量好，會(huì)導(dǎo)致電子產(chǎn)品的性能下降，從而影響用戶的使用體驗(yàn)。健明迪檢測(cè)開(kāi)展芯片質(zhì)量鑒定服務(wù)。

法院委托我司對(duì)涉案的“LED芯片”經(jīng)過(guò)封裝、SMT或焊接工藝后是否存在斷裂的質(zhì)量問(wèn)題進(jìn)行LED芯片質(zhì)量分析。分析專家組對(duì)涉案“LED芯片”的相關(guān)資料、現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查勘驗(yàn)情況、檢驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了討論和綜合技術(shù)分析，作出以下LED芯片質(zhì)量鑒定分析意見(jiàn)：
涉案的“LED芯片”經(jīng)過(guò)封裝、SMT后存在芯片斷裂的質(zhì)量問(wèn)題，其質(zhì)量水平不符合《質(zhì)量保證協(xié)議書》的驗(yàn)收要求，且芯片斷裂的質(zhì)量問(wèn)題系其本身存在質(zhì)量問(wèn)題所致。